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一个1K×4位的动态RAM芯片 若其内部结构排列成64×64形式 且存取周期为0．1μs。
问题详情
一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
参考答案
正确答案：×
(1)采用分散和集中刷新相结合的方式,对排列成64×64的存储芯片,需在2ms内将64行各刷新一遍,则刷新信号的时间间隔为2ms／64=31．25μs,故取刷新周期31μs。(2)采用集中刷新,对64×64的芯片,需在2ms内集中64个存取周期刷新64行。根据题中给出的存取周期为0．1μs,即在2ms内集中6．4μs刷新,则死时间率为(64／20000)×100％=0．32％
