A-A+ 以下关于半导体能带特征描述正确的是（） 2021-01-03 03:12:52 网课题库 阅读 次 问题详情 以下关于半导体能带特征描述正确的是（） A．室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B．室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体C．室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体D．室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体 参考答案 业务领域基本固定?与政府关系紧密?特殊的融资原则