A-A+ 8 P-Sub的理想MOS结构中半导体表面空间电荷区的宽度会随着正向栅压的增大而增大 在反型时达到最大值 2024-04-28 19:26:04 网课题库 阅读 次 问题详情 8、P-Sub的理想MOS结构中半导体表面空间电荷区的宽度会随着正向栅压的增大而增大，在反型时达到最大值 参考答案 错误