摘要：内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。那么内...

内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。那么内存时序高好还是低好呢？

内存时序

1、相同频率的内存，时序越低越好。

2、时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9。

3、所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。