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一个MOS器件的xo=100nm qφ m = 4.0eV qφ s = 4.5eV 二

2022-08-12 02:37:03 问答库 阅读 193 次

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一个MOS器件的xo=100nm,qφ m = 4.0eV , qφ s = 4.5eV,二氧化硅相对介电常数εro=4,并且单位面积下有1016cm-2的均匀正氧化层电荷,计算它的平带电压.


参考答案

-0.726(V)

考点:器件