A-A+ 一个MOS器件的xo=100nm qφ m = 4.0eV qφ s = 4.5eV 二 2022-08-12 02:37:03 问答库 阅读 193 次 问题详情 一个MOS器件的xo=100nm，qφ m = 4.0eV ， qφ s = 4.5eV，二氧化硅相对介电常数εro=4，并且单位面积下有1016cm-2的均匀正氧化层电荷，计算它的平带电压． 参考答案 -0.726(V)
