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(1)一块半无限的N型硅片受到光照产生率为GL的均匀光照 写出此条件下的空穴连续方程. (

2022-08-12 02:35:02 问答库 阅读 193 次

问题详情

(1)一块半无限的N型硅片受到光照产生率为GL的均匀光照,写出此条件下的空穴连续方程.
(2)若在x=0处表面复合速度为S,解新的连续方程,证明稳定态的空穴分布可表示为
(,称为空穴扩散长度)

参考答案

(1)空穴连续方程为

考点:空穴,硅片