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在沿着单品硅[100]晶向的33kOe外场中 根据第6章给出的单晶硅的有效质量(⊥H) 低温
问题详情
在沿着单品硅[100]晶向的33kOe外场中，根据第6章给出的单晶硅的有效质量(⊥H)，低温舒布尼科夫-德哈斯振荡对应的费密能量周期是多大？实验中门电压改变与费密面改变的比例约为100V:23meV，相应的MOS器件的门电压的振荡周期是多少？
参考答案
若硅晶片表面为(100)面，那么面内的载流子平均有效质量约为m*=mε，那么低温舒布尼科夫-德哈斯振荡的周期为
考点：单晶硅,外场
