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(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度N_D=10¹²cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到N_D=10¹⁹cm^-3，估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。