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主教材图6.18中 n型硅的掺杂浓度ND/cm-3分别为1E17 1.25E18 1.7E1

2022-08-12 02:25:06 问答库阅读 193 次

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主教材图6.18中，n型硅的掺杂浓度N_D/cm^-3分别为1E17，1.25E18，1.7E19，2.6E20，计算前两个浓度下室温的载流子浓度n、霍尔系数R₁₁、电子平均自由程l_c以及电阻率ρ。

室温下硅处于饱和区，因此电子浓度n≈N_D，硅的载流子迁移率μ_e=1.5×10³cm²/(V·s)。根据主教材表6.10，霍尔系数，平均自由程和电阻率为
R_H=-7.36×10¹⁸(n/cm^-3)^-1cm³/C (6.36)