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下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高

请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！