A-A+

悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时采用快速区熔法的工艺第一次区熔时第一次熔区停留挥发时间

2022-08-12 13:37:26 问答库阅读 196 次

问题详情

悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间()左右。
A. 3min
B. 5min
C. 10min
D. 20min

参考答案C