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在OK时，本征半导体的价带完全被电子占据，而导带则完全未被占据，此时的晶体为绝缘体．在较高温度下，价带中的电子因热激发会跃迁到导带，在价带中留下空穴，晶体就形成半导体．设晶体价带与导带之间的禁带宽度为ε_g，试
证明：温度为T时，本征半导体中电子和空穴的浓度n_e和n_h为