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图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成
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图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深
xj=△k(λ/2)．
由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深xj没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：
参考答案
薄膜表面等厚条纹形状与空气膜的等厚线轨迹一致．p区上表面的盖片只沿一个方向翘起，等厚线平行于x轴．p区的斜面交棱沿y轴，而上表面盖片交棱沿x轴．合成后，此区域的尖劈交棱就是斜的了．我们也可作如下更细致的分析：在斜面中任取一点O'为参考点(图3-10(c))．如果仅有斜面下倾，则沿x轴有h(P)＞h(O')；如果仅有盖片在另一正交方向翘起，则沿y轴有h(P')=h(O')；而当两者同时起作用时，使h(P')=h(P)，即等厚线轨迹理应为斜线．$用读数显微镜进行测量时，先选定左侧一组条纹(平行x轴)中的一条为基准，以其几何延长线的交点A为起点，沿y轴测长至该条纹实际走向的交点B．等厚点的位移(从A点移至B点)正是由斜面结深引起的，所以结深为
