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GaAs中吸收系数的温度依赖关系可近似表示为α=α₀e^T/T₀，式中，α₀为α外推至T=0K时的值，T₀约为100K．在300K时，二极管的外量子效率为5%，其他参数为x_j=20μm，=0.2，(300K)=10³cm^-1．