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一均匀基区硅BJT的基区宽度为0.5μm，基区杂质浓度N_a=10¹⁶cm^-3．若穿通击穿电压期望值为BV_BC=25V，集电区掺杂浓度为若干？如果不使集电区穿通，集电区宽度至少应大于多少？(硅相对介电常数k=11.9，ε₀=8.85×10^-14F/M，q=1.6×10^-19C)