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在室温下，若n型硅品片的杂质浓度为N_D=10¹⁶cm^-3，后来加重掺杂的p区杂质浓度为N_A=10¹⁸cm^-3，计算其接触势φ、耗尽层厚度d以及耗尽层电容C₀/A。