A-A+ 若在n型硅半导体中只含有一种V族杂质 其浓度为ND=1015cm-3。在40K的时候 测得载 2022-08-12 02:22:12 问答库 阅读 193 次 问题详情 若在n型硅半导体中只含有一种V族杂质，其浓度为ND=1015cm-3。在40K的时候，测得载流子浓度为n=1012cm-3，估算这个n型硅半导体的电离能Ed。 参考答案 电离能Ed，是施主杂质的离子和电子构成的类氢原子结合能，也是施主能级与导带底的能量差。在40K的温度下，掺杂半导体的载流子浓度一定在冻结区，多数载流子浓度n与温度的关系为
