A-A+

Ni2+的低自旋络合物常常是平面正方形四配位结构 高自旋络合物则多是四面体结构 试由Jahn

2022-08-12 02:18:26 问答库 阅读 193 次

问题详情

Ni2+的低自旋络合物常常是平面正方形四配位结构,高自旋络合物则多是四面体结构,试由Jahn-Teller效应和杂化轨道理论分别给以解释。

参考答案

Ni2+,d8结构八面体场,无.Jahn-Teller效应,高低自旋电子排布一样,由于价电子数较多,高配位化合物较少,常见的为四配位化合物。如果四配位的Ni2+采取低自旋,则5个3d轨道中4个被填满,而剩下的空d轨道与1个空4s轨道和2个空4p轨道形成dsp2杂化,每个空杂化轨道接受配体的孤对电子形成σ配键,结构为平面正方形。如果采取高自旋,则所有3d轨道都有电子占据,所以Ni2+只能利用外层的空4s和4p轨道进行sp3杂化来形成σ配键,结构为四面体。

考点:络合物,结构