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硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为V和

2022-08-11 21:08:27 问答库阅读 192 次

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硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V，通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。

请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！

正确答案：0．5、0．2、0．7、0．3。
0．5、0．2、0．7、0．3。