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测得GaP材料制成的p＋n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下 VR（V) 0 0.5 1

2021-02-17 11:11:34 学历考试 阅读

问题详情

测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下

  

VR(V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

CT(pF)

20

17.3

15.6

14.3

13.3

12.4

11.6

  pn结面积A=4×10-4cm2，试求该p+n结的内建电场VD和ND。

参考答案

考点：